半导体行业作为现代电子信息产业的基础，是支撑国民经济高质量发展的重要行业。第三代半导体指的是SiC、GaN、ZnO、金刚石(C)、AlN等具有宽禁带(Eg>2.3eV)特性的新兴半导体材料。碳化硅是目前发展较成熟的第三代半导体材料。

　　一、碳化硅晶体结构

　　碳化硅(SiC)由碳(C)原子和硅(Si)原子组成，密度是3.2g/cm³，天然碳化硅非常罕见，主要通过人工合成。其晶体结构具有同质多型体的特点，在半导体领域较常见的是具有立方闪锌矿结构的3C-SiC和六方纤锌矿结构的4H-SiC和6H-SiC。

　　二、碳化硅基本性质

　　碳化硅硬度在20℃时高达莫氏9.2-9.3，是较硬的物质之一，可以用于切割红宝石;

　　导热率超过金属铜，是Si的3倍、GaAs的8-10倍，且其热稳定性高，在常压下不可能被熔化;

　　碳化硅具有宽禁带、耐击穿的特点，其禁带宽度是Si的3倍，击穿电场为Si的10倍。　

　　4H-SiC和6H-SiC的材料参数

　　三、碳化硅材料的发展历程

　　1824年，当时的瑞典科学家Berzelius在人工合成金刚石的实验中意外发现了碳化硅这一物质。但因为碳化硅在自然界存量极少，没能引起足够的关注。

　　1885年，另一位化学家Acheson在石英砂与碳的混合加热过程中，高温生成了SiC晶体，这也是人类历史上初次制备纯净的碳化硅。

　　1959年，一位荷兰科学家提出了一种通过升华的方式让单晶体生长的方法，随后又在1978年被俄罗斯科学家进行了改良和优化。

　　1979年，以碳化硅为主要材料的蓝色发光二极管被发明了出来。

　　直到现在，在后续的研发和应用过程中，碳化硅以各种形态和应用方式在电子信息存储、传输和数据通讯等相关行业内发挥了巨大的作用，凭借其稳定的化学特性和优秀的半导体材料特质，在半导体材料领域获得了极大的发展空间。