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碳化硅多孔陶瓷的制备收到什么因素的影响?
- 2020-11-03-

  碳化硅多孔陶瓷的制备:在不同的制备条件和不同的老化pH值下,采用涂层混合工艺制备了核壳结构的前驱体粉末。分别在氩气气氛和真空中经过成形、碳化和煅烧制备了多孔碳化硅陶瓷。

  对多孔碳化硅陶瓷样品的外貌、物相、失重率、相对密度、气孔率、弯曲强度和抗热震特性进行了剖析,结果表明:两种气氛下煅烧的陶瓷样品的老化pH值对其特性有一致的影响。

  真空煅烧的陶瓷样品有着较好的抗弯强度和气孔率,而Ar气氛下煅烧的陶瓷样品有着更好的纯度和韧性。当时效过程pH值在3~5范围内时,Ar气氛下煅烧的多孔SiC陶瓷有着稳定的热膨胀系数。

碳化硅多孔陶瓷

  碳化硅蜂窝状陶瓷由于其高耐磨、高耐腐蚀、高导热系数、热稳定性好等特点,在当作催化剂载体方面有着不可替代的科研价值。

  碳化硅多孔陶瓷是经过添加造孔剂、无压煅烧及挤压成形技术等制备技术研究,实现蜂窝状陶瓷壁上再造孔,从而制备出高气孔率的多孔碳化硅蜂窝状陶瓷,剖析了多孔蜂窝状陶瓷的煅烧特性、物理性能、显微结构、物相组成及孔构造特性,为多孔碳化硅蜂窝状陶瓷的运用打下了重要基础。

  碳化硅是强化学键性的材料,烧结过程中扩散速度比较低;另外在烧结过程中因为其强的单向键合,碳化硅邻近颗粒间只能形成颈部,无法发生收缩,所以没有加入专门添加剂的碳化硅无法烧结致密,必须借助于特殊的烧结工艺化专门的添加剂或者与第二相结合才能实现碳化硅的致密化,比如压力烧结、反应烧结和微波烧结等。